STPSC10065DLF-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有较快的开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电源转换场合。该产品适合应用于需要紧凑设计与高热稳定性的电力电子设备中，满足对功率密度和长期可靠性要求较高的场景。
