IDK08G120C5XTMA1-HXY_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.45V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.45V。基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和低导通损耗，反向恢复时间极短，适用于高频开关环境。可用于高效率的AC-DC与DC-DC转换电路，如服务器电源、储能系统及大功率适配器中，有效提升能效并降低散热负担。封装结构优化热传导路径，支持紧凑型设计，满足高可靠性应用对长期稳定运行的需求。
