FFSD0865A-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，相较于传统硅器件可显著降低导通损耗，提高系统效率。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极短的反向恢复时间，支持高频开关操作，减少开关过程中的能量损耗与电磁干扰。适用于高效率电源适配器、紧凑型开关电源、可再生能源逆变装置及对热管理与空间利用率要求较高的电力转换模块。
