FFSM1065A-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的最高反向重复峰值电压（VR），在额定工作条件下正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的热稳定性和高电场强度特性，显著减少反向恢复电荷与开关损耗。适用于高效率电源系统，如高功率密度AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、储能系统及高性能服务器电源模块，有助于提升系统能效、缩小被动元件体积，并增强高频工作下的可靠性。
