C4D08120E-TR-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.45V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V。基于碳化硅材料，具备出色的耐高压与高温性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高电压、高效率的电力转换场景，如大功率开关电源、光伏逆变器、储能系统中的DC-DC变换模块以及高可靠性不间断电源（UPS）等，可有效提升系统开关频率与能量转换效率，同时降低热管理复杂度。
