WNSC08650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.42V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中，如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，可有效提升系统整体效率与功率密度。
