IDK06G65C5XTMA2-HXY_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.36V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压电源系统。其正向导通压降（VF）为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能量转换效率。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，该二极管支持高频开关操作，具备良好的热稳定性与长期可靠性，常用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换电路，有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度。
