STPSC10H065DLF-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）为650V，适用于中高电压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，可有效减少开关损耗。适用于高频率开关电源、高效直流变换器、储能系统功率模块及可再生能源逆变装置等应用，特别适合对热管理、能效和空间布局有较高要求的电路设计。
