FFSB3065B-F085-HXY_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:30A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.41V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.41V，表现出优异的导通性能与开关效率。其基于碳化硅材料的特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗，提升系统整体能效。适用于高密度电源转换设计，如高效开关电源、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性电力传输系统，满足对热性能与功率密度有严苛要求的应用场景。
