VS-3C20ET07T-M3-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，可显著减少开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换设计，如服务器电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变电路以及高密度适配器，有助于提高系统功率密度并改善热管理性能。
