CVFD20065A-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。得益于碳化硅材料的高热导率和高击穿电场特性，该二极管可在较高温度下稳定运行，并支持高频开关操作。典型应用场景包括高效开关电源、直流配电系统的隔离模块、光伏逆变单元以及对能效和空间布局有要求的电力电子变换装置，为现代电力转换提供可靠的技术支持。
