KRC118S_SOT-23_数字晶体管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：数字晶体管 最小包装：3000/圆盘 参数1：晶体管类型:NPN 参数2：集射极击穿电压(Vceo):50V 参数3：集电极电流(Ic):100mA 参数4：功率(Pd):200mW 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压(Vceo)和100mA的集电极电流(Ic)，适用于多种低压电路设计。其最大功率耗散为200mW，确保了在工作时的温度稳定性与可靠性。该晶体管适合应用于信号放大、开关控制以及各类小型电子装置中，是构建紧凑高效电路的理想选择。
