MMUN2232LT1G_SOT-23_数字晶体管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：数字晶体管 最小包装：3000/圆盘 参数1：晶体管类型:NPN 参数2：集射极击穿电压(Vceo):50V 参数3：集电极电流(Ic):100mA 参数4：功率(Pd):200mW 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气特性，适用于多种电子电路设计。其集射极击穿电压（Vceo）可达50V，确保了在较高电压环境下工作的可靠性；同时，集电极最大允许通过的电流（Ic）为100mA，能满足大部分信号放大与开关应用的需求。此外，该晶体管的最大耗散功率（Pd）为200mW，在保证性能的同时，也兼顾了发热控制，适合用于各种便携式设备及消费电子产品中的信号处理环节。
