HMUN2233T1G_SOT-23_数字晶体管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：数字晶体管 最小包装：3000/圆盘 参数1：晶体管类型:NPN 参数2：集射极击穿电压(Vceo):50V 参数3：集电极电流(Ic):100mA 参数4：功率(Pd):200mW 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压（Vceo），支持最大100mA的集电极电流（Ic），功率耗散能力为200mW。它适用于需要精确控制和稳定性能的各种电子电路，如信号放大、开关控制等。该晶体管在处理低至中等功率需求的应用中表现出色，是设计者构建高效、紧凑型电子设备的理想选择。
