HRN1910LF_SOT-363_数字晶体管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：数字晶体管 最小包装：3000/圆盘 参数1：晶体管类型:NPN+NPN 参数2：集射极击穿电压(Vceo):50V 参数3：集电极电流(Ic):100mA 参数4：功率(Pd):150mW 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款数字晶体管属于NPNNPN类型，具备稳定的电气特性，适用于多种电子电路设计。其集射极击穿电压（Vceo）高达50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。集电极最大电流（Ic）为100mA，适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。该晶体管的最大耗散功率（Pd）为150mW，在保证效率的同时，也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。
