HDTD123YCT116_SOT-23_数字晶体管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：数字晶体管 最小包装：3000/圆盘 参数1：晶体管类型:NPN 参数2：集射极击穿电压(Vceo):50V 参数3：集电极电流(Ic):100mA 参数4：功率(Pd):200mW 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款数字晶体管为NPN类型，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），能够在高压条件下稳定工作。它支持高达100mA的集电极电流（Ic），适用于多种电子线路中的信号放大与开关功能。该晶体管的最大功率耗散（Pd）为200mW，有助于有效管理热损耗，确保在各类消费电子产品和通信设备中的可靠性和长寿命使用。
