HDTC143ZCAT116_SOT-23_数字晶体管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：数字晶体管 最小包装：3000/圆盘 参数1：晶体管类型:1个NPN-预偏置 参数2：集射极击穿电压(Vceo):50V 参数3：集电极电流(Ic):100mA 参数4：功率(Pd):246mW 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款数字晶体管属于单个NPN-预偏置类型，其设计具备稳定的性能和广泛的适用性。该晶体管的最大集射极击穿电压（Vceo）为50V，能够有效地防止因过压而导致的损坏。其最大集电极电流（Ic）可达100mA，适用于驱动各类小型电子设备或电路中的信号放大。此外，该晶体管的功率耗散（Pd）为246mW，在确保功能的同时兼顾了能效，适用于多种电子项目的开发与集成，如家庭自动化、消费电子产品中的信号开关或逻辑门电路等。
