NSVBC857BLT3G-HXY_SOT-23_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：三极管(BJT) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IC:0.1A 参数2：电压VCEO:45V 参数3：频率FT:100MHZ 参数4：晶体管类型:PNP 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款PNP三极管（BJT）具备0.1A的集电极电流IC，适用于低功率应用场景。其集电极-发射极电压VCEO为45V，能够提供适当的反向电压保护能力。直流电流增益HFE范围在200至450之间，表明它具有优秀的放大性能，特别适合信号增强应用。过渡频率FT达到100MHz，确保了在中频段内的稳定工作性能。此三极管非常适合应用于便携式电子设备、智能家居装置及消费电子产品中，用于精确信号放大和处理任务，满足对高性能元件的需求。
