MMBT589LT1G-HXY_SOT-23_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：三极管(BJT) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IC:1A 参数2：电压VCEO:30V 参数3：频率FT:100MHZ 参数4：晶体管类型:PNP 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款PNP三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）能力，适用于需要中等功率处理的电路。其集电极-发射极电压（VCEO）为30V，确保在低压应用中的稳定性和可靠性。直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，提供了良好的信号放大效果。该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，使其在高频操作条件下依然表现出色。此元件非常适合用于构建对信号放大精度和响应速度有高要求的电子设备，如无线通讯模块或便携式音频装置，满足复杂电路设计的需求。
