BC856BDW1T1G_SOT-363_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：三极管(BJT) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IC:0.1A 参数2：电压VCEO:65V 参数3：频率FT:100MHZ 参数4：晶体管类型:PNP+PNP 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该三极管采用双PNP结构，具有较高的直流电流增益（HFE）特性，范围在200至450之间，适用于精确信号放大与电流控制。集电极电流（IC）为0.1A，集电极-发射极耐压（VCEO）达65V，具备良好的电压承受能力。其特征频率（FT）高达100MHz，支持高频信号处理，适合用于高速开关和射频信号放大等场景。器件组合设计节省空间，广泛应用于通信设备、消费类电子产品中的信号切换、驱动控制及小功率放大电路。
