AO3409_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23-3L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/4.2A参数4：RDON/45.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
AO3409 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封装，专为高集成度和节能电子设计。该器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载4.2A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的45mΩ导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下仍能保持高效的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等场景，是小型化、高性能电子设备的优选半导体元件。
