SI4431CDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4431CDY-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，可处理6A的连续漏极电流(ID)，并以其低至28mΩ的导通电阻(RD(on))，在同类产品中展现出优越的能效与低损耗性能。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等方面，是提升系统整体效能的理想半导体元件选择。