DMN3018SSS_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)封装:SOP-8类别:场效应管(MOSFET)最小包装:3000圆盘参数1:N沟道参数2:VDSS/30.0V参数3:ID/8.5A参数4:RDON/14.0mR标价:欢迎咨询
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产品介绍
DMN3018SSS N沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装,专为高效率电路设计。器件参数优秀,具有30V的最大漏源电压(VDSS),可承载8.5A连续电流,且导通电阻低至14mΩ,确保在大电流应用中实现卓越的能效表现。广泛运用于电源转换、电机控制、快速开关等场景,以其出色的电流承载能力和高电气性能,为您的电路设计提供有力支持。