FDS6670A_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOP-8类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/18.0A参数4：RDON/5.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDS6670A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOP-8封装形式，专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压VDSS，可承载高达18A的连续漏极电流ID，确保在高功率系统中保持稳定性能。其独特之处在于其超低导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效降低功率损耗，提升整体能效。FDS6670A MOS管适用于电源转换、电机驱动及其它高电流场合，以卓越的电气性能为您的设计带来更高水准的可靠性与效率。
