NDS355N_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/4.0A参数4：RDON/29.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
NDS355N 是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，以紧凑体积实现高性能输出。它支持30V的最大漏源电压(VDSS)，并在满负荷下可持续提供4A的漏极电流(ID)，展现了强大的电流处理能力。此外，29mΩ的超低导通电阻(RD(on))确保了优异的能源效率，减少了不必要的能量损耗。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多元领域，是高集成度、高效能电子设计的理想选择。
