DMN3110S_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/4.0A参数4：RDON/29.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3110S 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为节约空间的电路设计打造。器件特征包括30V的最大漏源电压(VDSS)及4A连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。其29mΩ的导通电阻(RD(on))设计，有效降低系统损耗，实现更高的能效比。DMN3110S 广泛应用在电源管理、电机驱动、负载开关等领域，是紧凑、高效半导体解决方案的理想选择。
