FDN359AN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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FDN359AN 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济型SOT-23封装，特别适用于紧凑空间的电路设计。器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，能持续输出4A的漏极电流(ID)，以满足不同功率需求。其引人注目的特点是导通电阻(RD(on))低至29mΩ，确保在运行过程中显著降低功耗，提升系统能效。FDN359AN MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是追求高效节能解决方案的理想之选。