Si2366DS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/4.0A参数4：RDON/29.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2366DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代精密电子设备设计。器件亮点包括最大工作电压VDSS高达30V，能稳定输送4A的漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)仅为29mΩ，确保低功耗和高效率运作。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护等领域，是您追求高性能与节能方案的理想N沟道MOS管选择。
