FDN358P_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/4.1A参数4：RDON/48.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN358P 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，针对高效率、小尺寸电子设计。该器件具有30V的高工作电压VDSS，提供稳定的4.1A电流ID，同时拥有48mR的低导通电阻，确保在中高功率应用中实现卓越的能效表现。广泛运用于电源开关控制、电池保护及各类中等电流负载驱动场景，是电路设计者追求高效、节能解决方案的理想之选。
