VN10LFTA_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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VN10LFTA 是一款N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高集成度电子设备设计。器件支持60V的漏源电压(VDSS)，并能稳定处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其核心优势在于导通电阻仅为1000mR，确保在工作中实现低功耗与高效能。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电机驱动等多种场景，是您优化电路性能和节能方案的理想半导体元件。