BSS159N_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/60.0V参数3：ID/0.3A参数4：RDON/1000.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSS159N 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高密度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，并能处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻仅为1000mR，确保在导通状态下降低功耗，提高能源利用效率。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等应用场合，是实现高性能、低功耗半导体解决方案的理想选择。
