TN2106K_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/60.0V参数3：ID/0.3A参数4：RDON/1000.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
TN2106K 是一款N沟道MOS管，采用小型SOT-23封装，特别适应于空间有限的电路设计需求。器件具有60V的高电压耐受力(VDSS)，并能稳定处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其内部结构优化，导通电阻低至1000mR，显著降低功耗，提高工作效率。TN2106K 广泛应用于电源转换、负载开关控制以及其它高效能、低损耗的电子系统中，是您优化电路性能的理想选择。
