IRLML6401PBF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/5.0A参数4：RDON/35.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLML6401PBF P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效空间利用设计。该器件具备20V的最大工作电压（VDSS），能承载高达5A的连续漏极电流（ID），适用于大电流处理场景。其低至35mR的导通电阻（RD(on)）确保了高效能和低损耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统、以及需要高速开关和高电流控制功能的电子设备中，是工程师的理想选择。
