NTR1P02L_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/2.3A参数4：RDON/120.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTR1P02L MOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电路设计。这款P沟道MOS管拥有20V的最大漏源电压(VDSS)，在保证稳定性的前提下，可提供高达2.3A的连续drain电流(ID)。其出色的导通电阻仅为120mΩ，有效降低功耗并提升系统工作效率，是您电子设备电源管理、开关控制的理想选择。
