NDS332P_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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NDS332P MOS管，采用紧凑型SOT-23封装形式，内建P沟道结构，性能卓越。该器件具有20V的最高漏源击穿电压(VDSS)，能在安全电压范围内稳定工作，同时提供高达2.3A的连续漏极电流(ID)，确保强大驱动能力。尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅120mR，显著降低了功率损耗并提升了整体系统效能。适用于电源管理、开关调节等电路设计，是您实现高效能应用的理想之选。