BSH114_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/100.0V参数3：ID/2.0A参数4：RDON/220.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSH114 N沟道MOS管采用小型SOT-23封装形式，实现空间节约和高集成度。该器件拥有100V的高电压VDSS，提供稳定的2A漏极电流ID，适用于多种高压小电流应用场景。其特色在于导通电阻RD(on)低至220mΩ，有效降低功率损耗，提高系统能效。此款MOS管广泛运用于电源管理、逻辑电平转换、负载驱动等功能模块，是紧凑型设计中兼具高性能与低能耗的理想半导体组件。
