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FDN5618P_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)封装:SOT-23类别:场效应管(MOSFET)最小包装:3000圆盘参数1:P沟道参数2:VDSS/60.0V参数3:ID/2.0A参数4:RDON/160.0mR标价:欢迎咨询

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产品介绍

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FDN5618P 是一款P沟道MOSFET,采用小型SOT-23封装,适用于空间有限的设计项目。该器件提供高达60V的漏源电压(VDSS),能够支持2A的连续漏极电流(ID),并且具备160mΩ的导通电阻(RD(on)),在低电压应用中展现卓越性能。广泛应用于电源开关、负载切换、逻辑电平转换等功能模块,是您构建高效、可靠电路的理想选择。

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