BSH205G2R_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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BSH205G2R 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效、紧凑型电路设计。该器件具有20V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，且具有出色的导通性能，导通电阻低至120mR，有利于降低功耗并提升系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关控制、低电压大电流逻辑转换等领域，是您优化电路设计的理想半导体元件。