NDS0610_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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NDS0610 P沟道MOSFET采用流行的SOT-23封装形式，针对空间受限和高效率电路设计。该器件具有60V的漏源击穿电压(VDSS)，能在160mR(RD(on))的低导通电阻下，稳定地处理2A的漏极电流(ID)。适用于电池保护、电源切换和负载驱动等应用场合，这款MOS管以强大的电压承载能力和精确的电流控制优势，助力提升您的电路性能与可靠性。