NDS0605_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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NDS0605 P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的导通电阻下，提供稳定的2A漏极电流(ID)。适用于电池保护、电源切换、负载驱动等各种应用场景，这款MOS管凭借其优异的高压承载能力和高效能电流控制性能，成为您提升电路可靠性和效率的理想半导体元件。