DMP6350S_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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DMP6350S P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能、低功耗电子设计。器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能在160mR(RD(on))的导通电阻下，承载稳定的2A漏极电流(ID)。此款MOS管广泛应用于电源开关、电池管理系统、反向电流保护等功能模块，其出色的电压承受能力和精准的电流控制性能，为您的电路设计提供更优质的解决方案。