FDN537N_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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FDN537N 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代高功率密度电子设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，可承载最大5.8A的漏极电流(ID)，并具备出色的导通性能，导通电阻低至22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及各种高电流、高效能的电子系统，FDN537N 凭借其卓越的电流处理能力和优良能效，成为电路设计师们的可靠选择。