DMN3404L_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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DMN3404L N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高效率、小体积电路设计。该器件提供30V的高耐压(VDSS)，能够承载高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并具备出色的低导通电阻性能，仅为22mR(RD(on))。这一特性使其在开关电源、大电流电机驱动以及各类高性能电子设备中表现出色，是您优化系统性能、实现节能目标的理想半导体组件。