DMN3070SSN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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DMN3070SSN N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，为高性能电子设备提供强大驱动力。本器件拥有30V的高击穿电压(VDSS)，能在满载条件下承载高达5.8A的漏极电流(ID)，并凭借其出色的导通电阻22mR(RD(on))，实现卓越的电力传输效率。这款MOS管适用于开关电源、大电流电机驱动等高功率应用场景，是提高系统效能、节约能源的优选半导体元件。