MVGSF1N02L_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

-------<点击了解更多 + 购买>-------

MVGSF1N02L N沟道MOSFET采用节省空间的SOT-23-3L封装，特别适用于紧凑型电路设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，并且在导通状态下呈现出仅为48mR的低导通电阻(RD(on))，从而保证了高效的电能转化和较低的功率损耗。这款MOS管广泛运用于开关电源、电机驱动、智能设备等多种领域，是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件。