SQ2310ES-T1_GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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SQ2310ES-T1_GE3 是一款高效N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高功率密度和低功耗电子设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，搭配其出色的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了卓越的电能转换效率和低功耗性能。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护系统等领域，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。