AO3493_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/3.0A参数4：RDON/60.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
AO3493 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低电压、低功耗应用设计。该器件具有20V的最大漏源电压VDSS，可持续提供3A的漏极电流ID，保证在低压系统中稳定工作。其导通电阻RD(on)为60mΩ，有效降低功率损耗，提高能源利用效率。AO3493 MOS管广泛应用于电池管理、电源开关、负载驱动等场景，凭借其出色的电气性能和小型封装，成为现代便携式和嵌入式电子设备的理想选择。
