Si2323DDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOT-23类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/5.0A参数4：RDON/30.0mR标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
Si2323DDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用业界标准SOT-23封装，专为紧凑型电子设计提供卓越性能。该器件特性鲜明具有20V的最大工作电压VDSS，能稳定处理5A的漏极电流；并且，其30mΩ的低导通电阻RD(on)设计大大减少了功率损失，提高了系统整体能效。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护等电路设计中，是您寻求高性能、节能方案的理想MOS管元件选择。
