CSD16340Q3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/100.0A参数4：RDON/4.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD16340Q3 型号N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，将小型化与高效散热相结合，专为高密度电子设备设计。该器件具备30V的额定电压VDSS，能稳定承载100A的连续电流ID，展现出强大的功率处理能力。其导通电阻仅为4mR，极大地提高了系统能效，降低了功耗。
