NVTFS4C25N_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/60.0A参数4：RDON/6.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVTFS4C25N N沟道MOSFET选用先进的DFN3X3-8L封装，体型小巧，特别适合于高密度电路板布局。器件具有30V的电压耐受值(VDSS)，并能承载高达60A的连续漏极电流，彰显卓越的电力处理能力。尤为突出的是其低至6mΩ的导通电阻(RD(on))，大幅度减少能量损耗，提升系统效能。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动控制、以及任何需高效能、低阻抗的高电流半导体解决方案中。
